高効率の非晶質／単結晶シリコン限定薄膜太陽電池を得るために、レーザー切断は、構成要素の良好な性能を達成するための重要な技術の１つである。 高効率非晶質シリコン／利得積層微結晶シリコン薄膜太陽電池モジュールのためのＰ２、Ｐ３（第２および第３）レーザマーキング処理の導入後の微結晶シリコン薄膜太陽電池の機器は、良好なデータベースを提供する。

スクライビングプロセスが行われるとき、基板ガラスは上を向き、コーティング表面は下を向く、そしてレーザーはガラスを通してフィルム表面をマークする。

レーザスクライブ工程で発生した塵埃は、集塵機を通して下側からリアルタイムに吸い出される。

CCDイメージングシステム

応用

処理膜：膜A-Si / u-si / ZnO：Al / Al / Ag / CdTe

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